研究概要
この半世紀で，電子素子は電子管から半導体素子へと置き換えられ，固体電子工学の分野を構築した．今後，加速的に増加すると予測されインフォメションテクノロジー(IT)の原動力は半導体集積回路の製作技術であると考えられている．シリコン原材料から一枚の多層化薄膜デバイスのそれぞれの製作工程における評価・分析方法の基礎技術について研究を行っている。
また，シリコン中の3d族遷移金属不純物中で鉄(Fe)とニッケル(Ni)は拡散係数が大きく，デバイスに混入し易い。そのために，ゲッタリングなどによりデバイス活性層からこれらの元素を除去する技術が発展してきたが，我々は，これらの元素の拡散と電気的性質を明らかにすることこそが重要であると考えてきた。この観点から，シリコン中のFeおよびNiの拡散および電気的特性評価の研究を行っている。
研究業績リスト
1.Electrical Properties of Nickel in Silicon
H. Kitagawa, S. Tanaka, H. Nakashima and M. Yoshida, J. Electronic Mater. 20 (1991) 441.
2.Iron-Related Levels in N-Type Silicon Studied by Hall Effect and DLTS Measurement
H. Kitagawa, L. C. Kimerling and S. Tanaka, J. Electronic Mater. 21 (1992) 863.
3.In-Diffusion and Isothermal Annealing of Iron-Related Defects in Czochralski N-Type Silicon
S. Tanaka and H. Kitagawa, Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) L4.
4. Dissociative Diffusion of Nickel in Silicon, and Sinks and Sources of Vacancy Annihilation and Generation in the Crystal Bulk
H. Kitagawa and S. Tanaka, Physica B 273-274 (1999) 391.
5.Diffusion and Electrical Properties of Nickel in Silicon
S. Tanaka, T. Ikari and H. Kitagawa, Defect and Diffusion Forum Vols. 183-185 (2000) 171.
6.In-Diffusion and Annealing Processes of Substitutional Nickel Atoms in Dislocation-Free Silicon
S. Tanaka, T. Ikari and H. Kitagawa, Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001) 3063.
7.Distribution of Substitutional Nickel Atoms in Dislocation-Free Silicon Studied by Deep Level Trasient
Spectroscopy and Theoretical Analyses Based on the Dissociative Mechanism of Diffusion
S. Tanaka, T. Ikari and H. Kitagawa, Jpn. J. Appl. Phys. 41 (2002) 6305.
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