私のきままな履歴書（学歴、職歴、研究実績、、、）

履　　　　　　　　歴　　　　　　　　書
ふ 　り 　が 　な 氏 名	やま うち ひろ ゆき 山内　寛行		男	本籍地又は国籍	福岡　県
生年月日（年齢）	昭和36年02月27日生 （満45才）			現住所	福岡県 筑紫野市
学　　　　　　　　　　歴
年　　　月		事　　　　　　　　　　　項
昭和５６年０３月 〃 ５６年０４月 昭和５８年０３月 〃 ５８年０４月 昭和６０年０３月 平成０９年０７月		国立久留米工業高等専門学校・電気工学科卒業 豊橋技術科学大学・情報工学科３年次編入学 同　上 卒業 豊橋技術科学大学大学院・情報工学専攻修士課程 入学 同 上 　同上 卒業 工学博士（九州大学）
職　　　　　　　　　　歴
年　　　月		事　　　　　　　　　　　項
昭和６０年０４月 平成１６年０７月 平成１７年０９月 平成１７年１０月		松下電器産業株式会社　半導体研究センター配属 当時の先端微細化MOSトランジスタのSPICE用モデリングの研究。微細化形状依存性、バイアス依存性をモデルに反映。その後、センスアンプのAsymmetrical 特性を克服するレイアウト案を発明など、 入社４年目で著名な国際学会発表、計ISSCCで89,93,95,97,2000,2002,2005, VLSIで89,94,96,2006年に発表。さらに、Charge-recycle データ転送技術、低電圧動作SRAMセルターミナルバイアス技術などを発明 IEEE1394などの高速インタフェースの開発も牽引。松下での高速インタフェース開発の草分け的存在。 同上　半導体開発本部　基盤技術開発センター　参事（兼）メモリグループマネージャに就任 事業経験のキャリアを積むため事業部に移り、0.18umから65nmまでのメモリライブラリーの責任者。 退職前は、不揮発メモリも含めてすべての混載メモリの技術開発統括責任者(メモリTO)を務める。 福岡に戻るために松下電器産業株式会社　退職 福岡工業大学　情報工学部　情報工学科　教授就任
学 会 及 び 社 会 に お け る 活 動 等
年　　　月		事 項
（国際学会委員） 平成１０年０１月 〜〃１２年１２月 〃 １３年０３月 〃 １５年０３月 〃 １５年０３月 〜〃現在継続中 〃 １３年０６月 （論文誌編集委員） 平成０８年１２月 平成０９年１２月 平成１１年０４月 平成１６年１０月 平成１７年０４月 　（IEEE役員） 平成１７年０１月 （加盟学会） 平成１０年０２月		国際学会　IEEE Symposium on VLSI Circuits プログラム委員就任 同上　平成10年〜13年 　 国際学会　IEEE Solid-State-Circuit Conference (ISSCC) 極東プログラム委員就任 国際学会　IEEE Solid-State-Circuit Conference (ISSCC) 全世界メモリプログラム委員就任 国際学会　IEEE Solid-State-Circuit Conference (ISSCC) 極東プログラム委員就任　（兼任） 同上　平成15年〜継続中（2007年度も就任予定） 国際学会　IEEE Vail Computer Elements Workshop 極東プログラム委員就任 IEICE 英文論文誌Vol.E79-C 編集委員「Special Issue on Low-Power LSI Technologies」 IEICE 英文論文誌Vol.E80-C 編集委員「Special Issue on Low-Power and High-Speed LSI Technologies」 IEICE 英文論文誌　　定期号編集委員就任（〜平成13年3月） IEICE 英文論文誌Vol.E88-C 編集委員「Special Issue on Low-Power LSI and Low-Power IP」 IEICE 英文論文誌Vol.E89-C 編集委員「Special Issue on VLSI Design Technology in Sub-100 nm Era」 IEEE Solid-State Circuits Society Kansai Chapter Vice Chairに就任 IEEE会員 （1997年〜一般会員）会員番号40102xxxx
賞　　　　　　　罰
年　　　月		事 項
平成０９年０７月 平成１２年０５月		Charge Recycle Data Transmitting Technologyで全国注目発明選定賞 （科学技術庁） Dynamic Memory Technologies 近畿地方発明奨励賞　（社団法人　発明協会）